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onsemi HGTG11N120CND


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
HGTG11N120CND
EBEE-Teilenummer
E811755
Gehäuse
TO-247AC-3
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
298W 43A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-247AC-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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10+$3.5033$ 35.0330
30+$3.1853$ 95.5590
90+$2.8640$ 257.7600
450+$2.7162$ 1222.2900
900+$2.6504$ 2385.3600
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TypBeschreibung
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KategorieTransistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules
Datenblattonsemi HGTG11N120CND
RoHS
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)6V@90uA
Pd - Power Dissipation298W
IGBT TypeNPT (Non-Punch Through)
Gate Charge(Qg)120nC@15V
Td(off)240ns
Td(on)26ns
Reverse Recovery Time(trr)70ns
Switching Energy(Eoff)1.3mJ
Turn-On Energy (Eon)950uJ
Input Capacitance(Cies)-

Einkaufsleitfaden

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