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onsemi FGY75T120SWD
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FGY75T120SWD |
| EBEE-Teilenummer | E820047184 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Datenblatt | onsemi FGY75T120SWD | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 5.6V@75mA | |
| Pd - Power Dissipation | 714W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 214nC@15V | |
| Td(off) | 171ns | |
| Td(on) | 42ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 29.6pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 204ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.32mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 5mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 6.331nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A | |
| Output Capacitance(Coes) | 234pF |
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