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onsemi FGHL50T65MQDT
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FGHL50T65MQDT |
| EBEE-Teilenummer | E85209101 |
| Gehäuse | TO-247-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-3LD IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Datenblatt | onsemi FGHL50T65MQDT | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 3V@50mA | |
| Pd - Power Dissipation | 268W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 99nC@15V | |
| Td(off) | 90ns | |
| Td(on) | 19ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 11pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 79ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 290uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 470uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.335nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 105pF |
Einkaufsleitfaden
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