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onsemi FGA6560WDF
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FGA6560WDF |
| EBEE-Teilenummer | E8444007 |
| Gehäuse | TO-3PN |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-3PN IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Datenblatt | onsemi FGA6560WDF | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4.1V@60mA | |
| Pd - Power Dissipation | 306W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC@15V | |
| Td(off) | 71ns | |
| Td(on) | 25.6ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 31pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 110ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 520uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.46mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.419nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 120A | |
| Output Capacitance(Coes) | 82pF |
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