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onsemi FDP047N08-F102
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDP047N08-F102 |
| EBEE-Teilenummer | E8898583 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 75V 164A 268W 4.7Ω@10V,80A 4.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8234 | $ 3.8234 |
| 200+ | $1.4804 | $ 296.0800 |
| 500+ | $1.4289 | $ 714.4500 |
| 800+ | $1.4023 | $ 1121.8400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDP047N08-F102 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 75V | |
| Dauerdr. | 164A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4.7Ω@10V,80A | |
| Stromableitung (Pd) | 268W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 9.415nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 152nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.4289 | $ 714.4500 |
| 800+ | $1.4023 | $ 1121.8400 |
