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STMicroelectronics STF10NM60N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STF10NM60N |
| EBEE-Teilenummer | E810650 |
| Gehäuse | TO-220FP |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 10A 0.55Ω@10V,4A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STF10NM60N | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 550mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 540pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 44pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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