| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N5460 |
| EBEE-Teilenummer | E817182514 |
| Gehäuse | TO-92-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 350mW 1 P-Channel 1mA 40V TO-92-3 JFETs RoHS |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0263 | $ 3.0263 |
| 200+ | $1.2078 | $ 241.5600 |
| 500+ | $1.1669 | $ 583.4500 |
| 1000+ | $1.1472 | $ 1147.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,JFETs | |
| Datenblatt | NTE Electronics 2N5460 | |
| Temperatur | -65℃~+135℃ | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | - | |
| FET Typ | P-Channel | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Ciss-Input Capacitance | 7pF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Drain Current (Idss) | 1mA | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 40V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | 750mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1pF |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0263 | $ 3.0263 |
| 200+ | $1.2078 | $ 241.5600 |
| 500+ | $1.1669 | $ 583.4500 |
| 1000+ | $1.1472 | $ 1147.2000 |
