| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT58M50J |
| EBEE-Teilenummer | E86746433 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 58A 540W 65mΩ@10V,42A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $113.1674 | $ 113.1674 |
| 200+ | $45.1551 | $ 9031.0200 |
| 500+ | $43.6458 | $ 21822.9000 |
| 1000+ | $42.9017 | $ 42901.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT58M50J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 58A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 65mΩ@10V,42A | |
| Stromableitung (Pd) | 540W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 185pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 13.5nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 340nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $113.1674 | $ 113.1674 |
| 200+ | $45.1551 | $ 9031.0200 |
| 500+ | $43.6458 | $ 21822.9000 |
| 1000+ | $42.9017 | $ 42901.7000 |
