| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT50GS60BRDQ2G |
| EBEE-Teilenummer | E83193674 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 415W 93A 600V NPT (non-penetrating type) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $19.9551 | $ 19.9551 |
| 10+ | $19.1603 | $ 191.6030 |
| 30+ | $17.7833 | $ 533.4990 |
| 90+ | $16.5838 | $ 1492.5420 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | Microchip Tech APT50GS60BRDQ2G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | NPT (non-penetrating type) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 93A | |
| Stromableitung (Pd) | 415W | |
| Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off)) | 225ns | |
| Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on)) | 16ns | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 600V | |
| Eingangskamitanz (Cies-Vce) | - | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 3.15V@15V,50A | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge) | 235nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 25ns | |
| Drehen? Abschalten von Verlust (Eoff) | 0.755mJ | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | - |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $19.9551 | $ 19.9551 |
| 10+ | $19.1603 | $ 191.6030 |
| 30+ | $17.7833 | $ 533.4990 |
| 90+ | $16.5838 | $ 1492.5420 |
