| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT29F80J |
| EBEE-Teilenummer | E85554175 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 31A 543W 210mΩ@10V,24A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $110.7261 | $ 110.7261 |
| 200+ | $44.1817 | $ 8836.3400 |
| 500+ | $42.7040 | $ 21352.0000 |
| 1000+ | $41.9756 | $ 41975.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT29F80J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 31A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 210mΩ@10V,24A | |
| Stromableitung (Pd) | 543W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 9.326nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 303nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $110.7261 | $ 110.7261 |
| 200+ | $44.1817 | $ 8836.3400 |
| 500+ | $42.7040 | $ 21352.0000 |
| 1000+ | $41.9756 | $ 41975.6000 |
