| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT100GT120JRDQ4 |
| EBEE-Teilenummer | E817198710 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 570W 123A 1.2kV NPT (non-penetrating type) IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $174.5396 | $ 174.5396 |
| 200+ | $69.6441 | $ 13928.8200 |
| 500+ | $67.3158 | $ 33657.9000 |
| 1000+ | $66.1656 | $ 66165.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | NPT (non-penetrating type) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 123A | |
| Stromableitung (Pd) | 570W | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 1.2kV | |
| Eingangskamitanz (Cies-Vce) | 7.85nF@25V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 3.7V@15V,100A |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $174.5396 | $ 174.5396 |
| 200+ | $69.6441 | $ 13928.8200 |
| 500+ | $67.3158 | $ 33657.9000 |
| 1000+ | $66.1656 | $ 66165.6000 |
