| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N6341 |
| EBEE-Teilenummer | E83201148 |
| Gehäuse | TO-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 150V 200W 30@10A,2V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $199.8669 | $ 199.8669 |
| 200+ | $77.3469 | $ 15469.3800 |
| 500+ | $74.6286 | $ 37314.3000 |
| 1000+ | $73.2852 | $ 73285.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N6341 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+175℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | - | |
| Stromableitung (Pd) | 200W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 50uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 150V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 30@10A,2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1.8V@25A,2.5A | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $199.8669 | $ 199.8669 |
| 200+ | $77.3469 | $ 15469.3800 |
| 500+ | $74.6286 | $ 37314.3000 |
| 1000+ | $73.2852 | $ 73285.2000 |
