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MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBT5551-E |
| EBEE-Teilenummer | E841371418 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 160V 300mW 80@1mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 100+ | $0.0081 | $ 0.8100 |
| 300+ | $0.0071 | $ 2.1300 |
| 3000+ | $0.0061 | $ 18.3000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 160V | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 6V | |
| Current - Collector Cutoff | 50nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz |
Einkaufsleitfaden
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