| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N3439 |
| EBEE-Teilenummer | E82764434 |
| Gehäuse | TO-39-3 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $20.8459 | $ 20.8459 |
| 10+ | $20.0492 | $ 200.4920 |
| 30+ | $18.6705 | $ 560.1150 |
| 100+ | $17.4675 | $ 1746.7500 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1A | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 5uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 350V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $20.8459 | $ 20.8459 |
| 10+ | $20.0492 | $ 200.4920 |
| 30+ | $18.6705 | $ 560.1150 |
| 100+ | $17.4675 | $ 1746.7500 |
