| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N1480 |
| EBEE-Teilenummer | E83201366 |
| Gehäuse | TO-5 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 55V 1W 20@200mA,4V 1.5A NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $75.5654 | $ 75.5654 |
| 200+ | $29.2443 | $ 5848.8600 |
| 500+ | $28.2169 | $ 14108.4500 |
| 1000+ | $27.7076 | $ 27707.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N1480 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 1W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 5uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 55V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 20@200mA,4V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 750mV@200mA,20mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $75.5654 | $ 75.5654 |
| 200+ | $29.2443 | $ 5848.8600 |
| 500+ | $28.2169 | $ 14108.4500 |
| 1000+ | $27.7076 | $ 27707.6000 |
