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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2305
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MDD2305 |
| EBEE-Teilenummer | E8427392 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 20V 4.2A 37mΩ@4.5V,4A 1W 400mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0418 | $ 0.2090 |
| 50+ | $0.0341 | $ 1.7050 |
| 150+ | $0.0302 | $ 4.5300 |
| 500+ | $0.0273 | $ 13.6500 |
| 3000+ | $0.0227 | $ 68.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2305 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 37mΩ@4.5V;45mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 76pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 600mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 760pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0341 | $ 1.7050 |
| 150+ | $0.0302 | $ 4.5300 |
| 500+ | $0.0273 | $ 13.6500 |
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