| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IXBX75N170 |
| EBEE-Teilenummer | E817489325 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.04kW 200A 1.7kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $60.2368 | $ 60.2368 |
| 30+ | $57.5991 | $ 1727.9730 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | Littelfuse/IXYS IXBX75N170 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 1.7kV | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 3.1V@15V,75A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.04kW | |
| IGBT Type | - | |
| Gate Charge(Qg) | 350nC | |
| Td(off) | 260ns | |
| Td(on) | 46ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 150pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 1.5us | |
| Switching Energy(Eoff) | - | |
| Turn-On Energy (Eon) | - | |
| Output Capacitance(Coes) | 400pF |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $60.2368 | $ 60.2368 |
| 30+ | $57.5991 | $ 1727.9730 |
