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| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LGE3D20120H |
| EBEE-Teilenummer | E85358474 |
| Gehäuse | TO-247-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1.2kV Independent Type 1.45V 20A TO-247-2L SiC Diodes ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5418 | $ 2.5418 |
| 10+ | $2.1690 | $ 21.6900 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | LGE LGE3D20120H | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 200uA@1200V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.45V | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5418 | $ 2.5418 |
| 10+ | $2.1690 | $ 21.6900 |
