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InventChip IV1D12010T2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1D12010T2 |
| EBEE-Teilenummer | E82894800 |
| Gehäuse | TO-247-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.2kV Independent Type 1.56V@10A 30A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8566 | $ 4.8566 |
| 10+ | $4.2035 | $ 42.0350 |
| 30+ | $3.4570 | $ 103.7100 |
| 90+ | $3.0654 | $ 275.8860 |
| 450+ | $2.8849 | $ 1298.2050 |
| 900+ | $2.8023 | $ 2522.0700 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | InventChip IV1D12010T2 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | [email protected] | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.56V@10A | |
| Current - Rectified | 30A |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $4.2035 | $ 42.0350 |
| 30+ | $3.4570 | $ 103.7100 |
| 90+ | $3.0654 | $ 275.8860 |
| 450+ | $2.8849 | $ 1298.2050 |
| 900+ | $2.8023 | $ 2522.0700 |
