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InventChip IV1D12010O2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1D12010O2 |
| EBEE-Teilenummer | E82894799 |
| Gehäuse | TO-220-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.2kV Independent Type 1.56V@10A 28A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3499 | $ 4.3499 |
| 10+ | $3.7782 | $ 37.7820 |
| 50+ | $3.0333 | $ 151.6650 |
| 100+ | $2.6900 | $ 269.0000 |
| 500+ | $2.5306 | $ 1265.3000 |
| 1000+ | $2.4585 | $ 2458.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | InventChip IV1D12010O2 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | [email protected] | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.56V@10A | |
| Current - Rectified | 28A |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $3.7782 | $ 37.7820 |
| 50+ | $3.0333 | $ 151.6650 |
| 100+ | $2.6900 | $ 269.0000 |
| 500+ | $2.5306 | $ 1265.3000 |
| 1000+ | $2.4585 | $ 2458.5000 |
