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Infineon Technologies IKB10N60T
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IKB10N60T |
| EBEE-Teilenummer | E8536143 |
| Gehäuse | TO-263-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-263-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IKB10N60T | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+175℃ | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 600V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Gate Charge(Qg) | 62nC@15V | |
| Td(off) | 215ns | |
| Td(on) | 12ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 115ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 270uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 160uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 551pF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 30A |
Einkaufsleitfaden
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