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Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IDK08G65C5XTMA2 |
| EBEE-Teilenummer | E83758485 |
| Gehäuse | TO-263-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 1.8V@8A 8A TO-263-2 SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 140uA@650V | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 68A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
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