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Infineon Technologies IDH10G65C6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IDH10G65C6 |
| EBEE-Teilenummer | E8535873 |
| Gehäuse | TO-220-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 1.25V@10A Independent Type 24A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IDH10G65C6 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@420V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@10A | |
| Current - Rectified | 24A |
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