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Infineon Technologies IDH03SG60C
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IDH03SG60C |
| EBEE-Teilenummer | E8535855 |
| Gehäuse | TO-220-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 2.1V@3A 3A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IDH03SG60C | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 230nA@600V | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.1V@3A | |
| Current - Rectified | 3A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 11.5A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
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