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HXY MOSFET HC4D20120D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC4D20120D |
| EBEE-Teilenummer | E819723888 |
| Gehäuse | TO-247-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1.2kV 1 pair of common cathodes 1.5V@10A TO-247-3L SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC4D20120D | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 250uA@1200V | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Current - Rectified | 34A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
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