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HXY MOSFET HC3D04065E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC3D04065E |
| EBEE-Teilenummer | E822449553 |
| Gehäuse | TO-252-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V Independent Type 1.3V@4A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC3D04065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@4A | |
| Current - Rectified | 14A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
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