7% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
HXY MOSFET HC1D08065E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC1D08065E |
| EBEE-Teilenummer | E841428786 |
| Gehäuse | TO-252-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>192 Auf Lager für schnelle Lieferung
192 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5489 | $ 1.5489 |
| 10+ | $1.2964 | $ 12.9640 |
| 30+ | $1.1577 | $ 34.7310 |
| 100+ | $1.0011 | $ 100.1100 |
| 500+ | $0.9318 | $ 465.9000 |
| 1000+ | $0.8993 | $ 899.3000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC1D08065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@8A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
192 Stock for Shipping Fast
192 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5489 | $ 1.5489 |
| 10+ | $1.2964 | $ 12.9640 |
| 30+ | $1.1577 | $ 34.7310 |
| 100+ | $1.0011 | $ 100.1100 |
| 500+ | $0.9318 | $ 465.9000 |
| 1000+ | $0.8993 | $ 899.3000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
