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HXY MOSFET HC1D02065E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC1D02065E |
| EBEE-Teilenummer | E841428787 |
| Gehäuse | TO-252-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC1D02065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@2A | |
| Current - Rectified | 7.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 18A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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