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HARRIS HGTD8P50G1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HGTD8P50G1 |
| EBEE-Teilenummer | E83191173 |
| Gehäuse | IPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 66W 12A 500V IPAK IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0626 | $ 0.0626 |
| 200+ | $0.0243 | $ 4.8600 |
| 500+ | $0.0233 | $ 11.6500 |
| 1000+ | $0.0230 | $ 23.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Datenblatt | HARRIS HGTD8P50G1 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 12A | |
| Power Dissipation (Pd) | 66W | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 500V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 3.7V@15V,8A | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 30nC | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.0233 | $ 11.6500 |
| 1000+ | $0.0230 | $ 23.0000 |
