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HARRIS HGT1S20N60B3S
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HGT1S20N60B3S |
| EBEE-Teilenummer | E83194023 |
| Gehäuse | TO-263AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40A 600V TO-263AB IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.1773 | $ 9.1773 |
| 200+ | $3.5525 | $ 710.5000 |
| 500+ | $3.4264 | $ 1713.2000 |
| 1000+ | $3.3662 | $ 3366.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Datenblatt | HARRIS HGT1S20N60B3S | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | - | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 40A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $3.4264 | $ 1713.2000 |
| 1000+ | $3.3662 | $ 3366.2000 |
