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HARRIS HGT1S12N60C3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HGT1S12N60C3 |
| EBEE-Teilenummer | E83191155 |
| Gehäuse | I2PAK(TO-262) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 104W 24A 600V I2PAK(TO-262) IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6792 | $ 4.6792 |
| 200+ | $1.8117 | $ 362.3400 |
| 500+ | $1.7479 | $ 873.9500 |
| 1000+ | $1.7159 | $ 1715.9000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Datenblatt | HARRIS HGT1S12N60C3 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 24A | |
| Power Dissipation (Pd) | 104W | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2V@15V,12A | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 62nC | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $1.7159 | $ 1715.9000 |
