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FUXINSEMI IHW20N135R5F


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IHW20N135R5F
EBEE-Teilenummer
E87467022
Gehäuse
TO-247-3
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
333W 40A 1.35kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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MengeStückpreisGesamtpreis
1+$2.1800$ 2.1800
10+$1.8227$ 18.2270
30+$1.6274$ 48.8220
90+$1.4052$ 126.4680
510+$1.3067$ 666.4170
990+$1.2623$ 1249.6770
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module
DatenblattFUXINSEMI IHW20N135R5F
RoHS
Temperatur-40℃~+175℃
Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben)1.35kV
Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic)4.8V@1mA
Pd - Power Dissipation333W
IGBT Type-
Gate Charge(Qg)175nC@15V
Td(off)204ns
Td(on)-
Reverse Transfer Capacitance (Cres)57pF
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)1.02mJ
Turn-On Energy (Eon)1.02mJ
Input Capacitance(Cies)1.781nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)60A
Output Capacitance(Coes)95pF

Einkaufsleitfaden

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