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FUXINSEMI F4C20120A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | F4C20120A |
| EBEE-Teilenummer | E8784612 |
| Gehäuse | TO-220-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1.2kV 1.5V@20A Independent Type 54.5A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | FUXINSEMI F4C20120A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | [email protected] | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@20A | |
| Current - Rectified | 54.5A |
Einkaufsleitfaden
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