| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | E100N2P3OH1 |
| EBEE-Teilenummer | E829781175 |
| Gehäuse | TOLL-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 325A 2.3mΩ@10V,40A 536W 3.2V@250uA 1 N-channel TOLL-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6981 | $ 0.6981 |
| 10+ | $0.6827 | $ 6.8270 |
| 30+ | $0.6734 | $ 20.2020 |
| 100+ | $0.6642 | $ 66.4200 |
| 500+ | $0.5885 | $ 294.2500 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Existar E100N2P3OH1 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.3mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 536W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 325A | |
| Ciss-Input Capacitance | 12.56nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.81nF | |
| Gate Charge(Qg) | 203nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6981 | $ 0.6981 |
| 10+ | $0.6827 | $ 6.8270 |
| 30+ | $0.6734 | $ 20.2020 |
| 100+ | $0.6642 | $ 66.4200 |
| 500+ | $0.5885 | $ 294.2500 |
