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Diodes Incorporated BSS138-7-F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSS138-7-F |
| EBEE-Teilenummer | E840912 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 50V 200mA 300mW 3.5Ω@10V,220mA 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 20+ | $0.0306 | $ 0.6120 |
| 200+ | $0.0243 | $ 4.8600 |
| 600+ | $0.0208 | $ 12.4800 |
| 3000+ | $0.0186 | $ 55.8000 |
| 9000+ | $0.0168 | $ 151.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Diodes Incorporated BSS138-7-F | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Drain to Source Voltage | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF |
Einkaufsleitfaden
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