| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BIDW50N65T |
| EBEE-Teilenummer | E817512645 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 416W 100A 650V FS(Field Stop) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1275 | $ 5.1275 |
| 210+ | $2.0463 | $ 429.7230 |
| 510+ | $1.9787 | $ 1009.1370 |
| 990+ | $1.9441 | $ 1924.6590 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | FS(Field Stop) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 100A | |
| Stromableitung (Pd) | 416W | |
| Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off)) | 125ns | |
| Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on)) | 37ns | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 2.2V@15V,50A | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge) | 123nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 37.5ns | |
| Drehen? Abschalten von Verlust (Eoff) | 1.1mJ | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | 3mJ |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1275 | $ 5.1275 |
| 210+ | $2.0463 | $ 429.7230 |
| 510+ | $1.9787 | $ 1009.1370 |
| 990+ | $1.9441 | $ 1924.6590 |
