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A Power microelectronics AP2311AI
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AP2311AI |
| EBEE-Teilenummer | E83011410 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 12V 5.8A 1.6W 20mΩ@4.5V,5.2A 650mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0371 | $ 0.0371 |
| 10+ | $0.0362 | $ 0.3620 |
| 30+ | $0.0356 | $ 1.0680 |
| 100+ | $0.0351 | $ 3.5100 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | A Power microelectronics AP2311AI | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 35mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 300pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
| 1+ | $0.0371 | $ 0.0371 |
| 10+ | $0.0362 | $ 0.3620 |
| 30+ | $0.0356 | $ 1.0680 |
| 100+ | $0.0351 | $ 3.5100 |
