وحدات تحكم الطاقة عبر الإيثرنت (PoE)
المصنّع
- NXP Semicon
الحزمة
- SOIC-20-300mil
درجة حرارة التشغيل
- 60V
كسب عرض النطاق الترددي المنتج (GBP)
- -40℃~+85℃
تصنيف الجهد
- Power receiving device (PD)
عدم الخطية المتكاملة
- 1
نوع الكشف
- 13W
- 12.95W
الصور | الأسعار | الكمية | التوفر | رقم قطعة المصنّع # | eBee Part# | Manufacturer | Product Name | Description | RoHS | الحزمة | التغليف |
|---|
الصور | الأسعار | الكمية | التوفر | رقم قطعة المصنّع # | رقم قطعة eBee# | المصنّع | اسم المنتج | الوصف | RoHS | الحزمة | التغليف |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $3.0444 200+ $1.2146 500+ $1.1746 1000+ $1.1554 | الحد الأدنى: 1 مضاعف: 1 | - | MCZ34670EG | E85796551 | NXP Semicon | NXP Semicon MCZ34670EG | - | - | SOIC-20-300mil | Tube-packed | |
1+ $12.6008 200+ $5.0292 500+ $4.8601 1000+ $4.7783 | الحد الأدنى: 1 مضاعف: 1 | - | MCZ34670EGR2 | E85670151 | NXP Semicon | NXP Semicon MCZ34670EGR2 | - | - | SOIC-20-300mil | Tube-packed |
- 1