| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SI4850EY-T1-E3 |
| رقم قطعة EBEE | E83289752 |
| الحزمة | SO-8 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 60V 8.5A 0.022Ω@10V,6.0A 3.3W 3V@250uA 1 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0797 | $ 1.0797 |
| 10+ | $0.9955 | $ 9.9550 |
| 30+ | $0.9479 | $ 28.4370 |
| 100+ | $0.8955 | $ 89.5500 |
| 500+ | $0.8717 | $ 435.8500 |
| 1000+ | $0.8622 | $ 862.2000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | Vishay Intertech SI4850EY-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 31mΩ@4.5V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 5.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.3W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 18pF | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0797 | $ 1.0797 |
| 10+ | $0.9955 | $ 9.9550 |
| 30+ | $0.9479 | $ 28.4370 |
| 100+ | $0.8955 | $ 89.5500 |
| 500+ | $0.8717 | $ 435.8500 |
| 1000+ | $0.8622 | $ 862.2000 |
