Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | Si2308BDS-T1-GE3 |
| رقم قطعة EBEE | E812298 |
| الحزمة | SOT-23-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 60V 2.3A 0.156Ω@10V,2.3A 1.09W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2336 | $ 0.2336 |
| 10+ | $0.1880 | $ 1.8800 |
| 30+ | $0.1685 | $ 5.0550 |
| 100+ | $0.1441 | $ 14.4100 |
| 500+ | $0.1332 | $ 66.6000 |
| 1000+ | $0.0998 | $ 99.8000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 192mΩ@4.5V | |
| درجة حرارة التشغيل - | - | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 6.8nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2336 | $ 0.2336 |
| 10+ | $0.1880 | $ 1.8800 |
| 30+ | $0.1685 | $ 5.0550 |
| 100+ | $0.1441 | $ 14.4100 |
| 500+ | $0.1332 | $ 66.6000 |
| 1000+ | $0.0998 | $ 99.8000 |
