Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STGW80H65DFB-4
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STGW80H65DFB-4 |
| رقم قطعة EBEE | E85268573 |
| الحزمة | TO-247-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 469W 120A 650V FS(Field Stop) TO-247-4 IGBT Transistors / Modules ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>4 في المخزن للشحن السريع
4 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0045 | $ 3.0045 |
| 10+ | $2.9303 | $ 29.3030 |
| 30+ | $2.8823 | $ 86.4690 |
| 90+ | $2.8329 | $ 254.9610 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,IGBT الترازر / وحدات | |
| ورقة البيانات | STMicroelectronics STGW80H65DFB-4 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vces) | 650V | |
| بوابة الباعث الجهد (Vge(th)@Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 414nC | |
| Td(off) | 336ns | |
| Td(on) | 75ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 215pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 112ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.7mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 10.524nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A | |
| Output Capacitance(Coes) | 385pF |
دليل التسوق
توسيع
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0045 | $ 3.0045 |
| 10+ | $2.9303 | $ 29.3030 |
| 30+ | $2.8823 | $ 86.4690 |
| 90+ | $2.8329 | $ 254.9610 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
