Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics PD57060S-E
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | PD57060S-E |
| رقم قطعة EBEE | E82970400 |
| الحزمة | PowerSO-10 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 65V 7A 2V@100mA 1 N-channel PowerSO-10 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $169.1018 | $ 169.1018 |
| 200+ | $65.4411 | $ 13088.2200 |
| 500+ | $63.1420 | $ 31571.0000 |
| 1000+ | $62.0043 | $ 62004.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,RF FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST PD57060S-E | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| النوع | 1 N-channel | |
| التكوين | - | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 65V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 7A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | - | |
| تبديد الطاقة (Pd) | - | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 2V@100mA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | - | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | - | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | - |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $169.1018 | $ 169.1018 |
| 200+ | $65.4411 | $ 13088.2200 |
| 500+ | $63.1420 | $ 31571.0000 |
| 1000+ | $62.0043 | $ 62004.3000 |
