Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics 2STR1215
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2STR1215 |
| رقم قطعة EBEE | E82935151 |
| الحزمة | SOT-23 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 15V 500mW 200@500mA,2V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0537 | $ 1.0537 |
| 10+ | $0.8756 | $ 8.7560 |
| 30+ | $0.7875 | $ 23.6250 |
| 100+ | $0.7013 | $ 70.1300 |
| 500+ | $0.6480 | $ 324.0000 |
| 1000+ | $0.6205 | $ 620.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | ST 2STR1215 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 1.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 500mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 100nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 15V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 200@500mA,2V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 400mV@2A,200mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0537 | $ 1.0537 |
| 10+ | $0.8756 | $ 8.7560 |
| 30+ | $0.7875 | $ 23.6250 |
| 100+ | $0.7013 | $ 70.1300 |
| 500+ | $0.6480 | $ 324.0000 |
| 1000+ | $0.6205 | $ 620.5000 |
