Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Solid State System TIP30
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | TIP30 |
| رقم قطعة EBEE | E86880709 |
| الحزمة | TO-220 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 40V 30W 40@200mA,4V 1A PNP TO-220 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7411 | $ 1.7411 |
| 200+ | $0.6954 | $ 139.0800 |
| 500+ | $0.6710 | $ 335.5000 |
| 1000+ | $0.6606 | $ 660.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | Solid State System TIP30 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 1A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 30W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 300uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 40V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 40@200mA,4V | |
| تردد الانتقال (fT) | 3MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 700mV@125mA,1A | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7411 | $ 1.7411 |
| 200+ | $0.6954 | $ 139.0800 |
| 500+ | $0.6710 | $ 335.5000 |
| 1000+ | $0.6606 | $ 660.6000 |
