Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Solid State System 2N5339
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N5339 |
| رقم قطعة EBEE | E85496141 |
| الحزمة | TO-5 |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 100V 6W 60@2A,2V 5A NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $12.0222 | $ 12.0222 |
| 200+ | $4.7975 | $ 959.5000 |
| 500+ | $4.6371 | $ 2318.5500 |
| 1000+ | $4.5587 | $ 4558.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 6W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 100V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 60@2A,2V | |
| تردد الانتقال (fT) | 30MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.2V@500mA,5A | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $12.0222 | $ 12.0222 |
| 200+ | $4.7975 | $ 959.5000 |
| 500+ | $4.6371 | $ 2318.5500 |
| 1000+ | $4.5587 | $ 4558.7000 |
