Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
ROHM Semicon RGT80TS65DGC11
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | RGT80TS65DGC11 |
| رقم قطعة EBEE | E86647230 |
| الحزمة | TO-247N |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 234W 70A 650V FS(Field Stop) TO-247N IGBT Transistors / Modules ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3773 | $ 2.3773 |
| 200+ | $0.9491 | $ 189.8200 |
| 450+ | $0.9164 | $ 412.3800 |
| 900+ | $0.9019 | $ 811.7100 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,IGBT الترازر / وحدات | |
| ورقة البيانات | ROHM Semicon RGT80TS65DGC11 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | FS(Field Stop) | |
| جامع الحالي (Ic) | 70A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 234W | |
| تحول؟ خارج وقت التأخير (Td(off)) | 119ns | |
| تحول؟ في وقت التأخير (Td(on)) | 34ns | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vces) | 650V | |
| بوابة الباعث الجهد (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,40A | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Ic,Vge) | 79nC | |
| ديود عكس وقت الاسترداد (Trr) | 58ns |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3773 | $ 2.3773 |
| 200+ | $0.9491 | $ 189.8200 |
| 450+ | $0.9164 | $ 412.3800 |
| 900+ | $0.9019 | $ 811.7100 |
