Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
ROHM Semicon RGT50TM65DGC9
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | RGT50TM65DGC9 |
| رقم قطعة EBEE | E817610145 |
| الحزمة | TO-220 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 47W 21A 650V FS(Field Stop) TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8382 | $ 1.8382 |
| 200+ | $0.7338 | $ 146.7600 |
| 500+ | $0.7101 | $ 355.0500 |
| 1000+ | $0.6974 | $ 697.4000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,IGBT الترازر / وحدات | |
| ورقة البيانات | ROHM Semicon RGT50TM65DGC9 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | FS(Field Stop) | |
| جامع الحالي (Ic) | 21A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 47W | |
| تحول؟ خارج وقت التأخير (Td(off)) | 88ns | |
| تحول؟ في وقت التأخير (Td(on)) | 27ns | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vces) | 650V | |
| بوابة الباعث الجهد (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,25A | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Ic,Vge) | 49nC | |
| ديود عكس وقت الاسترداد (Trr) | 58ns | |
| تحول؟ إيقاف تبديل الخسارة (Eoff) | - | |
| تحول؟ على تبديل الخسارة (Eon) | - |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8382 | $ 1.8382 |
| 200+ | $0.7338 | $ 146.7600 |
| 500+ | $0.7101 | $ 355.0500 |
| 1000+ | $0.6974 | $ 697.4000 |
