Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
ROHM Semicon RGT40NL65DGTL
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | RGT40NL65DGTL |
| رقم قطعة EBEE | E83191207 |
| الحزمة | TO-263 |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 161W 40A 650V FS(Field Stop) TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2580 | $ 3.2580 |
| 10+ | $2.8417 | $ 28.4170 |
| 30+ | $2.5926 | $ 77.7780 |
| 100+ | $2.3416 | $ 234.1600 |
| 500+ | $2.2253 | $ 1112.6500 |
| 1000+ | $2.1744 | $ 2174.4000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,IGBT الترازر / وحدات | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | FS(Field Stop) | |
| جامع الحالي (Ic) | 40A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 161W | |
| تحول؟ خارج وقت التأخير (Td(off)) | 75ns | |
| تحول؟ في وقت التأخير (Td(on)) | 22ns | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vces) | 650V | |
| سعة المدخلات (Cies@Vce) | - | |
| بوابة الباعث الجهد (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,20A | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Ic,Vge) | 40nC | |
| ديود عكس وقت الاسترداد (Trr) | 58ns | |
| تحول؟ على تبديل الخسارة (Eon) | - |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2580 | $ 3.2580 |
| 10+ | $2.8417 | $ 28.4170 |
| 30+ | $2.5926 | $ 77.7780 |
| 100+ | $2.3416 | $ 234.1600 |
| 500+ | $2.2253 | $ 1112.6500 |
| 1000+ | $2.1744 | $ 2174.4000 |
