Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
ROHM Semicon RGT16TM65DGC9
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | RGT16TM65DGC9 |
| رقم قطعة EBEE | E817529353 |
| الحزمة | TO-220 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 22W 9A 650V FS(Field Stop) TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2230 | $ 1.2230 |
| 200+ | $0.4892 | $ 97.8400 |
| 500+ | $0.4729 | $ 236.4500 |
| 1000+ | $0.4637 | $ 463.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,IGBT الترازر / وحدات | |
| ورقة البيانات | ROHM Semicon RGT16TM65DGC9 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | FS(Field Stop) | |
| جامع الحالي (Ic) | 9A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 22W | |
| تحول؟ خارج وقت التأخير (Td(off)) | 33ns | |
| تحول؟ في وقت التأخير (Td(on)) | 13ns | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vces) | 650V | |
| بوابة الباعث الجهد (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,8A | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Ic,Vge) | 21nC | |
| ديود عكس وقت الاسترداد (Trr) | 42ns | |
| تحول؟ إيقاف تبديل الخسارة (Eoff) | - | |
| تحول؟ على تبديل الخسارة (Eon) | - |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2230 | $ 1.2230 |
| 200+ | $0.4892 | $ 97.8400 |
| 500+ | $0.4729 | $ 236.4500 |
| 1000+ | $0.4637 | $ 463.7000 |
