Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
PN Junction Semiconductor P3M12040G7
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | P3M12040G7 |
| رقم قطعة EBEE | E87023109 |
| الحزمة | D2PAK-7 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| الوصف | 1.2kV 63A 53mΩ@15V,40A 349W 1.6V@10mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | PN Junction Semiconductor P3M12040G7 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 1.2kV | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 63A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 53mΩ@15V,40A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 349W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 1.6V@10mA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 5.4pF@800V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 3505pF@800V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 98nC@15V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
